• 2021世界人工智能大會丨芯馳科技發佈全開放UniDrive自動駕駛平台

    7月7日-10日,以“智聯世界 眾智成城”為主題的2021世界人工智能大會在上海世博展覽館舉行,該展會是全球人工智能領域最具影響力的展會之一。 本次大會吸引了來自全球優秀企業的積極參與,展示各自在人工智能領域前沿創新的技術和產品。作為汽車芯片領域的“新勢力”,芯馳科技首次參展,併發布自動駕駛戰略,向大眾展示了芯馳科技在自動駕駛領域的最新技術成果以及未來發展路徑。 全開放UniDrive平台,共創靈活自動駕駛解決方案 當前,隨着自動駕駛賽道的日益明晰,各汽車菜鳥集運自提點將高級別自動駕駛技術的量產落地視為其核心競爭力,並圍繞這一領域展開激烈競爭。但是自動駕駛產業鏈不僅巨大、複雜、冗長,而且涉及面很廣,融合了傳感器、計算平台、自動駕駛系統、芯片、汽車製造等多個細分行業,需要產業鏈上的各個環節彼此之間深度合作交流,發揮技術優勢才能真正實現高級別的自動駕駛產業化落地。 然而,從技術層面來説,全球自動駕駛技術路徑眾多,彼此之間存在差異化,從底層OS到頂層算法都有所不同。對於行業領導者無論是車企還是無人出行服務運營商,都對掌握自動駕駛相關的系統、算法和數據,從而根據自身需求採用定製化的自動駕駛方案的需求非常迫切,這也是構建自動駕駛體系能力的重要環節。行業亟需一個基於開放的開發環境打造,具有高度擴展性、兼容性和靈活性的自動駕駛平台工具進行適配。 在本次發佈會上,芯馳科技發佈了基於V9系列芯片開發的全開放自動駕駛平台——UniDrive。該平台是一個模塊化全開放的軟硬件及生態平台,提供算力支持、硬件及傳感器參考、可供評估的傳感器及實車組合套件、系統框架、參考算法、工具鏈等底層支撐。芯馳的簽約客户、合作伙伴和主機廠等可在平台上充分發揮自身優勢,自由的開發、適配和組合自動駕駛的完整系統,快速導入基於芯馳芯片的全系統設計,敏捷化驗證迭代,芯馳科技UniDrive以“生而開放”的心態和戰略目標助力產業鏈各環節實現其最大自主程度的自動駕駛技術和服務落地。 靈活開放的底層設計理念賦予了UniDrive自動駕駛平台“全開放”的基因。UniDrive平台採用了通用計算硬件加速,能夠兼容不同合作伙伴的算法。在底層,UniDrive不僅支持QNX、RTOS、AUTOSAR等主流車規OS,同時也支持Linux;在模塊層,該平台能夠兼容AP AUTOSAR、ROS、Cyber等計算框架。UniDrive還能夠提供一套仿真和部署的工具鏈,幫助合作伙伴用最快的方式驗證算法並在芯片上實現部署,從而能以最快的速度實現自動駕駛的商業化落地。 作為統一開發平台,UniDrive具有極強的可擴展性,可支持從L1/L2級別ADAS(高級駕駛輔助系統)到未來L4/L5級別的Robotaxi的開發,在幫助客户降低開發成本的同時也能快速滿足市場的不同需求。 發佈自動駕駛路線圖,以務實的態度支持商業化落地 在本屆世界人工智能大會上,芯馳科技還發布了在自動駕駛領域的路線圖。從2019年到2020年,芯馳科技先後發佈了V9L/F和V9T自動駕駛芯片,分別可支持ADAS(高級駕駛輔助系統)以及域控制器。 面向集成度更高的汽車電子電氣架構,未來兩年芯馳科技還將陸續推出能夠滿足更高級別自動駕駛的高算力芯片。2022年,芯馳科技計劃發佈算力在10-200T之間的自動駕駛芯片——V9P/U,該產品擁有更高算力集成,可支持L3級別的自動駕駛。到2023年,芯馳科技將推出具有更高算力的V9S自動駕駛芯片,該芯片面向中央計算平台架構研發,算力高達500-1000T,可支持L4/L5級別的自動駕駛的Robotaxi。 近年來,全球汽車自動駕駛產業實現了遞進式的快速發展:相關法規從無到有、相關企業從少到多、技術發展從慢到快。技術路徑上也逐漸明晰,行業普遍認可自動駕駛將會經歷從以ADAS為主要形態的L1/L2級別,發展到L2.x/L3級別的有條件自動駕駛,最終實現L3+/L4級別真正的無人駕駛。 由於自動駕駛的實現需要與駕駛生態與基礎環境相結合,因此量產化和商業化落地是讓汽車進階為“出行工具”的重要指標。從2018年成立之初起,芯馳科技就將發展自動駕駛芯片產品作為公司的重要戰略,並以務實的態度推出了符合市場節奏,貼合客户需求的產品。此外,芯馳科技還打造了一支專注於自動駕駛研發團隊,團隊總監陶聖博士畢業於清華大學,研究方向是昆蟲視覺神經系統的仿生設計。其他核心成員涵蓋了自動駕駛開發所需要的感知、決策規劃、系統、仿真、slam等方向,均都擁有5年以上的行業經驗,是國內最早一批從事無人駕駛研發的團隊。 隨着產品矩陣的不斷豐富,芯馳科技未來將為客户提供從初階ADAS到完全自動駕駛的全區間自動駕駛芯片產品,滿足市場多元化的需求,助力客户實現自動駕駛車型的快速量產落地。 攜手生態合作伙伴,打造本土化自動駕駛解決方案 隨着自動駕駛業態的加速壯大與成熟,自動駕駛各個技術領域的組成也越愈發細分化。在這種背景之下,汽車芯片也不僅僅是底層支持的硬件產品,而是成為和軟件、系統以及整個生態緊密相連的關鍵一環。從某種程度上來説,硬件、軟件、算法等不同參與者之間的融合程度決定了自動駕駛水平的高低。 芯馳科技在自動駕駛領域正與合作伙伴緊密合作,共建面向量產的自動駕駛生態圈。芯馳科技深度參與到合作伙伴早期產品定義階段,充分發揮各自在各自領域的優勢協同創新,為客户提供具有差異化和本地化的自動駕駛解決方案,增強市場競爭力。 芯馳科技CEO仇雨菁表示:“芯馳科技作為汽車芯片供應商,秉持開放的態度向合作伙伴提供開放的軟硬件平台以支撐客户算法的驗證和適配。未來,我們將持續打造自動駕駛開放生態圈,攜手更多的產業鏈上下游合作伙伴,共同助力自動駕駛的商業化量產落地。” 在發佈會現場,縱目科技創始人,CEO唐鋭表達了對雙方未來合作的期許:“芯馳V9系列芯片是一款面向未來的產品,具有靈活的擴展性、適配性和易開發性,而且在功能安全上也等級很高。未來,我們期待能夠與芯馳在自動駕駛領域展開合作,實現優勢互補,為中國市場提供最完美的自動駕駛解決方案。”縱目科技是目前國內領先的自動駕駛技術企業,專注於為客户提供汽車自動駕駛和高級駕駛輔助系統(ADAS)技術和產品。 在本屆世界人工智能大會期間,芯馳科技還在場外展示了與生態合作伙伴流馬鋭馳基於芯馳科技V9F智能駕駛芯片提供的面向量產的APA解決方案。該方案採用4個魚眼攝像頭和12個超聲波雷達實現APA功能,基於CV算法,完成對車位的識別和障礙物檢測,結合超聲波雷達,適應多種車位和工況。流馬鋭馳專注做低速自動駕駛大規模量產,是首家融合方式全自動泊車乘用車量產的自動駕駛創業公司。 流馬鋭馳總經理於宏嘯表示:“流馬鋭馳憑藉創新研發能力及量產經驗,聯合芯馳科技車規級芯片研發的獨家優勢,搭載芯馳V9系列芯片合作進行APA(全自動泊車輔助系統)及AVP(自主泊車)技術研發。這一技術的整合,可以同時滿足主機廠及Tier1的軟硬件需求,為各類客户提供定製化的產品,將會改變傳統的汽車芯片供應鏈格局。” 作為支撐汽車行業智能化轉型的核心硬件支撐,自動駕駛芯片的發展為行業發展注入了巨大動能。芯馳科技作為一家汽車芯片供應商,未來將繼續以開放的態度,與更多行業參與者一起提供更高水平的自動駕駛解決方案,助推產業向上發展。

    時間:2021-07-08 關鍵詞: AI 芯馳科技 自動駕駛 汽車電子

  • 半導體厚金屬技術新突破!較傳統鑄造縮小一百萬倍,實現晶圓級複雜金屬結構鑄造

    邁鑄半導體開發的微型U型線圈

    時間:2021-07-06 關鍵詞: 電磁鐵 邁鑄半導體 鑄造技術

  • 支持海量應用場景!瑞芯微Toybrick推出TB-RK3568X、TB-RV1126D開發板

    Toybrick是瑞芯微官方的人工智能開發平台,集軟硬件開發於一體,旨在為開發者提供多系列開發平台、參考設計、豐富的開發工具及人工智能教學案例。近日,瑞芯微Toybrick正式發佈全新TB-RK3568X和TB-RV1126D開發板,以多維技術優勢支持海量場景。 一、TB-RK3568X開發板:強大性能助力行業應用硬件開發 全新的TB-RK3568X是由瑞芯微Toybrick和聯想商用共同研發的高性能行業應用開發板。TB-RK3568X採用RK3568為核心芯片,具備強大的多媒體接口和豐富的外圍接口,有效助力開發者快速完成產品的硬件開發。 (瑞芯微供圖,下同) TB-RK3568X核心板尺寸僅82mm×60mm,性能穩定可靠;通過SODIMM 314P接口與底板組合,可形成完整行業應用定製AI主板。 TB-RK3568X開發板具有五大產品特性,支持Android 11、Debian10、buildroot系統,主要面向智慧視覺、雲終端、網絡視頻錄像機(NVR&XVR)、物聯網網關、工控、網絡附屬存儲(NAS)、KTV點唱機等行業應用領域。 1、搭載高性能應用處理器 瑞芯微RK3568 CPU為四核Cortex-A55,採用全新Arm v8.2-A架構,效能有效提升;GPU為Mali-G52,雙核心架構,圖像API支持OpenGL ES 3.2,2.0,1.1,Vulkan 1.1。內置瑞芯微自研第三代獨立NPU,可提供1T算力,支持Caffe/TensorFlow/TFLite/ONNX/PyTorch/Keras/Darknet主流架構模型的一鍵轉換。 2、內置獨有的ISP圖像處理器 支持8M處理能力,強大的HDR功能,支持畸變矯正、去霧、噪點消除等功能。 3、強大的編解碼能力 支持4K@60fps H.264/H.265/VP9等多種格式高清解碼,支持1080p@100fps H.264及H.265格式編碼。 4、支持豐富顯示、外設及拓展接口,支持三屏異顯 支持HDMI、eDP、MIPI-DSI×2、MIPI-DSI顯示接口,最高支持三屏異顯;搭載兩個千兆以太網口,便於多機聯網滿足高速網絡需求;支持PCIe3.0、SATA3.0、USB3.0等高速接口;支持板載WiFi6,SD card等接口。 5、支持豐富的DDR顆粒類型,高可靠性 可兼容豐富的DDR顆粒,支持LP4/LP4x/LP3/DDR4/DDR3,支持DDR3及DDR4 ECC,滿足工控等場景高可靠性要求。32bit位寬,最高頻率1600Mhz,充裕的帶寬設計,更能滿足智能NVR/XVR場景需求。 目前,TB-RK3568X已在瑞芯微Toybrick官方企業店正式發售,售價RMB1499。購買渠道:taobao搜索“Toybrick官方企業店”,或複製“8.0 hihi:/哈lrYoXix1jyw”至taobao即可購買體驗。 二、TB-RV1126D開發板:智慧視覺應用開發智能化升級 TB-RV1126D是基於RV1126芯片開發的集參考設計、調試和測試、驗證於一體的硬件開發板。其電源系統採用PMIC RK809-2芯片,配合外圍的buck、LDO組成。同時使用DDR4、eMMC和相關的功能外設設備,構成了一個穩定的可量產化的方案。 TB-RV1126D開發板具有五大產品特性,可賦能IPC、智能門禁、智慧屏、智能辦公/教育、車載視覺等海量場景及細分產品。 1、搭載全新智慧視覺處理器 瑞芯微RV1126是專用於視覺處理的高性能處理器SoC,基於四核Arm Cortex A7 32位內核架構,集成NEON和FPU。每個核心都有一個32KB I cache和32KB D cache以及512KB的共用二級緩存。內置NPU,支持2T算力,支持INT8/INT16混合操作,AI性能強大。 RV1126具備強大的兼容性,支持主流網絡模型如TensorFlow/MXNet/PyTorch/Caffe等輕鬆轉換。 2、強大的編解碼能力 支持4K@30fps+1080p@30fps視頻編碼、4K@30fps視頻解碼、H264/H265編解碼等。 3、豐富的外圍接口 支持Type-C、MIPI_CSI、MIPI-DSI、BT.1126、MIC array等接口。 4、支持USB-C DP輸入 1)支持4K@30fps投屏,可直接通過手機、平板、電腦無線投屏;無需驅動、無需設置、無需軟件,即可享受大屏震撼視野 2)低延時,4K投屏延時僅120ms,1080P投屏延時僅80ms 5、支持QOS,傳輸不卡頓 支持瑞芯微自研的SKIFF QOS Engine,10%網絡丟包率下,4K視頻傳輸不卡頓。 TB-RV1126D開發板即將於7月中旬上線瑞芯微Toybrick官方企業店,敬請期待! 瑞芯微Toybrick開發平台始終致力於在人工智能領域上助力開發者及行業夥伴加速行業應用的研發進程及智能化升級。除TB-RV1126D、TB-RK3568X外,Toybrick平台已推出多款基於RK3399Pro及RK1808的AI開發板,可通過Toybrick官網瞭解更多產品詳情。

    時間:2021-07-06 關鍵詞: 瑞芯微 開發板

  • ROHM推出全新CMOS運算放大器,抗EMI性能超乎想象!

    作為汽車電子控制系統的關鍵部件,傳感器很容易接收到外界或內部一些無規則的噪聲或干擾信號。可以説,傳感器設計的成功與否,跟抗干擾設計有着很大的關係。 為了給業內提供更為先進的解決方案,近日全球知名半導體制造商ROHM(羅姆)開發出了具備超強抗EMI性能(以下簡稱“抗干擾性能”)的軌到軌輸入輸出高速CMOS運算放大器“BD87581YG-C(單通道產品)”和“BD87582YFVM-C(雙通道產品)”,旨在減少異常檢測系統的設計工時並提高可靠性。 因為專注,所以出眾 要知道,“噪聲”是會導致精度誤差和誤動作的不必要的信號,在要求更高精度的“傳感器應用”中,運算放大器的“低噪聲”和“抗干擾”性能必不可少。 對此,ROHM充分利用自有的垂直統合型生產體制和模擬設計技術優勢,從2017年開始開發EMARMOUR™系列。該系列產品具有非常出色的抗干擾性能,有助於減輕降噪設計負擔。 據羅姆半導體(上海)有限公司技術中心FAE朱莎勤介紹,以出色的抗干擾性能著稱的EMARMOUR™系列的開發初衷,是為了在應用產品中無需採取特別措施也可防止產品因噪聲干擾而誤動作。EMARMOUR™是ROHM的商標,其中EM是電磁輻射的縮寫,ARMOUR是鎧甲的意思。因此,該詞可譯為ROHM開發的運算放大器如同身披鎧甲一樣,免受外部噪聲干擾。 在談及產品設計時,朱莎勤表示,ROHM開發的產品不僅追求低噪音性能,還追求易用性。EMARMOUR™系列產品之所以能使抗EMI性能得到顯著提升,主要是通過優化製造工藝和改善電路設計來實現的,這其中融合了ROHM的“電路設計技術”、“佈局技術”和“工藝技術”三大優勢。 具體來説,首先,通過在所需的位置嵌入多個新開發的噪聲控制電路“RF-IA”,提高了抗干擾性能。其次,在有噪聲的線路周圍設置屏蔽結構,同時改善佈線干擾並調整內部模擬內核的阻抗。第三,着眼於“寄生電容大時,抗噪性能強”的事實來選擇工藝和元件尺寸,以獲得更適合的寄生電容。“當這三點完全具備的時候,整個芯片的噪聲抗噪能力就非常強勁了。”朱莎勤解釋説。 事實上,ROHM早在2018年就推出了EMARMOUR™系列雙極型產品(共有四款),而此次推出的“BD87581YG-C(單通道產品)”和“BD87582YFVM-C(雙通道產品)”都是CMOS類型的運算放大器,其偏置電流、轉換速率均比上一代的雙極型產品有着較大提高。 與同類產品相比,ROHM的EMARMOUR™系列產品,由於出廠時抗噪能力強,能夠有效減輕降噪設計負擔,從而可以幫助客户減少系統設計工時和設計成本。另外,在整體交付週期較短的設計中,也可以做到快速響應。因此,該系列產品在車載和工業設備市場獲得了高度好評。 兩大特性,彰顯實力 至於EMARMOUR™系列產品在抗EMI性能上到底有多出色,朱莎勤則從兩個方面對其進行了説明: 一是,在四種國際抗擾度評估測試中,均實現了非常出色的抗干擾性能,可減輕降噪設計負擔。 具體來講,新產品作為EMARMOUR™的運算放大器系列產品,在ROHM的電波暗室中實施了“電子輻射抗擾度測試ISO 11452-2”、“BCI測試ISO 11452-4”、“近距離輻射抗擾度測試ISO 11452-9”、“DPI測試IEC 62132-4”四種國際通行的抗擾度評估測試,並且在這四種測試中均表現出了非常出色的性能。 例如,在“電子輻射抗擾度測試ISO 11452-2”中,相對於普通產品在整個噪聲頻段的輸出電壓波動±300mV以上,新產品僅為±10mV以內,實現了非常出色的抗干擾性能。由於無需針對各頻段噪聲採取降噪措施,不僅可以減少元器件數量(雙通道運算放大器與普通產品相比,RC濾波元器件共可減少10件),還能減輕在系統中發揮重要作用的傳感器等的降噪設計負擔,從而有助於減少應用的設計工時並提高應用的可靠性。 二是,配備了高精度仿真模型“ROHM Real Model”,可防止實際試製後返工。 據朱莎勤介紹,“ROHM Real Model”是一種高精度的SPICE模型,通過可靠的驗證,可有效防止實際試製後的返工等情況發生,有助於提高應用產品的開發效率。與傳統的SPICE模型相比,“ROHM Real Model”最大的優勢就是仿真值與實際IC的值完全一致。 作為ROHM自有的建模技術,“ROHM Real Model”通過將晶體管電路整體實現的特性按功能進行設計和重新組合,從而實現了出色的特性再現性。相比傳統的建模技術來説,這是一種基於公式的建模,可以實現仿真值和實測值一致,是技術含量比較高的建模技術。 據悉,此次ROHM發佈的EMARMOUR™系列產品,是今年5月份開始量產的。該系列產品符合AEC-Q100標準,可應用於車載引擎控制單元,以及FA設備的異常檢測系統等對電子電路降噪要求高的各種車載和工業設備。據朱莎勤透露,該系列中還有4通道產品正在開發中,後續也會推出。 “今後,ROHM將會繼續擴大新產品陣容,並且還會將高抗干擾技術應用到電源IC等產品中,為進一步減少各種應用的設計工時和提高應用的可靠性貢獻力量。”朱莎勤表示。

    時間:2021-07-05 關鍵詞: 羅姆 運算放大器 ROHM EMI

  • realme真我Q3 Pro狂歡版煥新升級,12GB+256GB大內存版本今日開售

    2021年7月1日,中國·深圳——全球成長最快智能手機品牌realme真我,將於今日正式開售全新升級為12GB+256GB超大內存版本的realme真我Q3 Pro狂歡版,“真粉”們可前往realme全國線下門店進行體驗購買! 12GB+256GB超大內存,性能原地提升 真我Q3 Pro狂歡版內存存儲雙升級,帶來全新的12GB+256GB版本,超大的儲存空間讓你擺脱“空間不足”難題,告別刪刪減減的生活。在內存方面,配合DRE動態運存拓展技術,可以調用內存參與到運存之中,最高支持7GB內存拓展,多任務運行更流暢,12GB運存也可以玩出如同19GB的暢快!真我Q3 Pro狂歡版搭載高性能的高通驍龍768G 5G處理器,採用先進的7nm製程工藝,提供高性能低功耗的優秀體驗,暢玩主流手遊。 顏值超凡,一見傾心 真我Q3 Pro狂歡版延續realme一如既往的輕薄潮玩設計風格,通過升級內部堆疊工藝和全新外觀設計,174g/7.9mm的輕薄機身,提供無與倫比的舒適握持感。 真我Q3 Pro狂歡版共有兩款潮流配色,分別為“黑巧森林”和“天空之城”。“黑巧森林”有如陶瓷工藝品般絲滑細膩的質感,色彩靈感來源於色澤獨特的可可豆——90%的黑色糅合了10%的巧克力棕,形成與眾不同的黑色;“天空之城”配色採用特殊雙紋雙鍍工藝,擁有流動的彩虹與變幻的光影,看一眼就猶如遨遊雲端之上,令人一見傾心! 真我Q3 Pro狂歡版搭載同級首款120Hz三星AMOLED電競屏,高刷新率讓屏幕反應更靈敏迅速,畫面更流暢,高素質的顯示效果帶來超越同級的視覺體驗! 閃充長續航,旗艦影像照亮你的美 真我Q3 Pro狂歡版搭載4500mAh大容量電池+50W智慧閃充,僅需14分鐘即可充電至50%,45分鐘即可充電至100%,快速回血,解決充電焦慮。配合系統級的超級省電模式,5%也能實現超長待機20小時,續航更持久!相機方面採用旗艦級3200萬索尼超清自拍鏡頭+6400萬流光三攝,可滿足不同環境下的拍攝需求,同時搭載多項影像功能,玩法更豐富。 真我Q3 Pro狂歡版自發布之日起便收穫無數用户的好評,京東平台好評率96%,維持了realme產品一貫的高口碑,出色的輕薄設計加上流暢的性能體驗,受到了年輕用户的歡迎和喜愛。今日起,真我Q3 Pro狂歡版將正式開售12GB+256G大內存版本,感興趣的朋友可前往realme全國各大門店進行體驗購買!

    時間:2021-07-01 關鍵詞: 手機 realme

  • 全球首發!Find X3 Pro帶來支持5G SA的eSIM功能,都有哪些優勢?

    在5月31日,OPPO通過與泰雷茲展開了深入的研發合作,在最新推出的旗艦OPPO Find X3 Pro上,全球首發了支持5G SA的eSIM功能,再次讓用户對5G未來應用展開了無盡想象。 那麼,eSIM究竟是什麼,有哪些優勢?本期我們來好好聊聊。 eSIM卡全稱為Embedded-SIM,即嵌入式SIM卡。對比傳統的SIM卡來説,eSIM卡不需要插拔,而是直接嵌入在終端中,用户同樣可以在智能手機中靈活地選擇運營商套餐,享受到可信、順暢的數字體驗,而且相對實體SIM卡來説,eSIM卡在便利性、安全性方面更有優勢。 近年來,eSIM卡的應用逐漸成為了行業趨勢,其能夠幫助移動運營商應對數字化轉型的挑戰,在可穿戴設備、車聯網以及工業物聯網等眾多領域有着廣泛的應用空間。而泰雷茲則是基於硬件的eSIM和eSIM連接管理領域的全球領先提供商,目前已為遍佈全球多地的移動運營商、運營商聯盟等運營商部署了超過200個eSIM管理平台。 同時,泰雷茲也是手機菜鳥集運自提點OPPO重要的eSIM解決方案的合作伙伴,比如OPPO首款智能手錶OPPO Watch,就採用了泰雷茲提供的eSIM解決方案。如今,OPPO再次與泰雷茲展開深入合作,帶來了支持5G SA的eSIM功能,將由OPPO Find X3 Pro全球首發,這也就意味着,其不僅支持兩張實體SIM卡,還支持一張eSIM卡,同時這也是首次在eSIM上支持5G SA網絡。 相信在不久的未來,eSIM將會逐漸在行業中普及,而OPPO用户則能最快享受到即將到來的未來創新5G體驗。雖説目前在國內eSIM還沒那麼快普及,但這也絲毫不影響OPPO Find X3系列的旗艦屬性,而且在618年中大促中,這兩款旗艦再度直降300元,引起了諸多消費者強烈反響,其中不乏出現“真香”的言論。 在配置方面,OPPO Find X3系列的兩個版本在核心體驗上並無很大差異,比如影像方面,同樣搭載了雙索尼IMX766傳感器,以及60倍放大的顯微鏡頭;屏幕上均為2K 120Hz屏幕,而且支持LTPO技術、10億色顯示;以及在充電方面,同樣支持65W有線閃充+30W無線閃充,可以説在這些核心體驗上,OPPO Find X3系列兩個版本的差異並不大,想得到相同的核心體驗,但預算稍低的用户建議選擇標準版,而Pro版本更適合有IP68級防水等方面需求的用户。 目前在售價方面,京東商城的OPPO Find X3標準版8+128GB版本直降300元,即到手價為4199元;而OPPO Find X3 Pro的8+256GB版本同樣降價300元,到手價為5199元。需要注意的一點是,OPPO Find X3系列僅有這兩個最受歡迎的內存版本有優惠,其他內存版本的價格則無變化。 如果用一個字來形容OPPO Find X3系列的話,那應該是“穩”,沒有太多的唬人的噱頭、技術,有得只是穩紮穩打的體驗,這也得到了眾多用户的一致高度認可。如果在618期間,你想買一款體驗很穩的旗艦機,那麼OPPO Find X3系列確實很適合你,在目前這個最佳入手的好時機,不妨考慮一下。

    時間:2021-06-30 關鍵詞: 手機 5G OPPO eSIM

  • 不止芯片強!Reno6系列細節體驗放大招,網友表示這波操作太良心

    現如今,越來越多喜歡玩手遊的年輕消費者會提出這樣一個問題:在旗艦機與主打“遊戲”為賣點的手機之間應該怎麼去選擇?不少消費者都認為,輕薄機身與強悍的遊戲性能是“魚和熊掌不可兼得”的。不過,最近發佈的OPPO Reno6系列,給了眾多網友一個全新選擇。 作為一款主打輕薄高顏值的產品,Reno6系列居然成為了媒體、網友口中的新一代“上分神器”? 能夠得到大家的認可,Reno6系列手機的性能毋庸置疑。其中“超大杯”的OPPO Reno6 Pro+搭載高通驍龍870旗艦級SoC,被稱為最適合打遊戲的芯片,功耗控制得比較出色。而“大杯”產品OPPO Reno6 Pro則搭載聯發科天璣1200旗艦級SoC,跑分堪比驍龍8系旗艦芯,性能實力同樣不俗。值得注意的是,OPPO Reno6系列使用了UFS 3.1規格的閃存,最高還可選配12+256GB的大閃存組合,可以滿足更多遊戲場景需求。 (OPPO Reno6 Pro跑分成績) 除了處理器之外,這次OPPO Reno6系列之所以被稱之為“上分神器”,最吸睛的原因還是OPPO在軟硬件方面的升級體驗。比如在軟件優化上,OPPO Reno6全系支持無級穩幀技術,這項技術通過AI算法模型,從多維度上預測遊戲的負載,自動調節CPU、GPU頻率等,遊戲內幀率波動降低62%,同時還能夠平衡整機的性能與功耗,帶來持久、穩定的輸出。對此,網友@不務正業的數碼君在王者體驗過程中就直言,OPPO Reno6 Pro全程維持90幀流暢運行,整個過程很穩定。 而此前在OPPO Reno5上備受好評的“閃電啓動”功能,在Reno6上面也有了升級。根據媒體實測可知,OPPO Reno6系列的超級閃電啓動可以一鍵直達遊戲首頁,自動跳轉游戲開頭動畫,可以節省15秒啓動時間,大幅縮減遊戲載入速度,讓玩家在開黑吃雞時都能夠獲得“快人一步”的極速體驗。 OPPO Reno6系列全系都帶來了輕薄機身,這意味着久玩不累的手感體驗。而全系標配的線性馬達則是帶來了臨場感更強的振動反饋,其中Reno6 Pro和Reno6 Pro+用的還是一顆擁有200+級別振感的X軸線性馬達,相較於傳統的轉子馬達,X軸線性馬達能夠帶來更高級的振動反饋,振動的體驗更加地乾淨利落。OPPO Reno6系列還將這種振感加入到遊戲場景中,從而使得玩家的遊戲沉浸感將會變得更為出色。 同時OPPO Reno6系列的競技手感調節還預置了推薦參數,一鍵獲取職業電競大神的同款手感設置,玩家不僅可以感受到遊戲中細微的道具/技能區別,而且還能夠實現大神定製級的競技手感,這個細節設定確實能夠帶來宛如遊戲手機般的極致體驗。 而為了保證性能長時間穩定輸出,OPPO Reno6系列還採用了常見於遊戲手機的“大尺寸均熱板+散熱液”的液冷散熱系統。這套散熱系統不僅採用了高達3168mm²大尺寸VC均熱冷凝板,覆蓋SoC、Modem、RAM、ROM以及電池等大部分核心熱源,散熱更為極致。搶先體驗了Reno6超大杯的網友就表示,用這款手機玩遊戲,平均幀率達到了90.5FPS,而且手機散熱比較出色,基本沒有發燙感覺。 面對這樣的遊戲全方位升級套餐,不少網友都在微博上點讚了OPPO Reno6系列的遊戲表現。從他們的評論中可見他們對於Reno6系列的無級穩幀以及閃電啓動等創新功能都十分好奇,直言這款手機很“穩”,甚至表示自己已經預訂了,就等着新機發貨了。 一款手機的遊戲體驗到底強不強,除了處理器之外,散熱、系統優化、幀率穩定性、手感等方面都是影響玩家體驗感的重點。而OPPO Reno6系列針對遊戲玩家痛點,帶來了超級閃電啓動、無級穩幀技術、遊戲4D振感等細節體驗,在各個方面都做足了優化和提升,難怪能夠成為大家眼中兼顧輕薄與強大性能的“上分神器”。其中Reno6 Pro+還成為和平精英職業聯賽賽事指定用機、英雄聯盟手遊官方職業賽事指定用機,可見其遊戲硬能力是得到專業認可的,喜歡玩遊戲的朋友不妨考慮一下。

    時間:2021-06-30 關鍵詞: 手機 芯片 OPPO Reno6

  • 應對先進SoC的設計挑戰,Dynamic Duo 2.0大幅提升硅前仿真和原型驗證效率

    近日Cadence發佈了Dynamic Duo 2.0,其中包含Palladium Z2硬件仿真加速平台和Protium X2原型驗證系統。這一組合將容量提高了2倍,性能提升了1.5倍,並且採用了業內首創的模塊化編譯技術。100億門的SoC編譯在Palladium Z2 系統上10小時內即可完成,在Protium X2系統上也僅需不到24小時。針對當前先進SoC的硅前設計挑戰和應對之策,Cadence公司亞太區系統解決方案資深總監張永專在發佈會上進行了分享。 先進SoC設計挑戰:軟硬件耦合更緊密 未來系統和芯片的設計趨勢是複雜性提高、算力提升、軟硬件整合更緊密,但與此同時還要加快Design Cycle。據張永專分享,當前很多芯片設計的Design變大,採用多個IP的集成方式,這種設計的關鍵是實現從子系統到複合SoC的系統整合。而且現在的很多芯片為了更精準地實現特定應用加速,需要在芯片設計階段就有相應的軟件來與硬件結合,軟件已經成為了芯片設計的挑戰和整體成本的大頭。 如何應對這樣的設計挑戰?關鍵在於提高軟件的驗證效率,同時也要提高硬件仿真的速度,將硬件仿真與軟件原型驗證之間通道打通並提高效率,讓軟件跟硬件的協同仿真能夠在整體設計流程中更早完成。首先硬件仿真上,前面已經提到當前Design Size變大,IP和子系統數量更多,本身在硬件設計環節中這種設計的迭代也變得更多,所以設計者希望硬件仿真速度可以很快,這樣一天就可以實現幾次迭代:每次硬件設計調整後,可以快速debug芯片中的RTL Code,然後Compile(編譯)來檢驗最終修改的表現。當芯片的Design階段基本接近成熟時,軟件團隊就可以介入將芯片硬件平台進行軟件的原型驗證。 當然這時候硬件仿真到軟件原型驗證之間的無縫對接和效率就變的很關鍵,而Cadence因為兩個平台使用了很多相同的接口、內存和模塊化編譯器等,所以可以加速這一流程,避免重複工作的產生,也讓芯片設計商的硬件設計和軟件團隊之間的合作更緊密高效。 Dynamic Duo 2.0 全新的Dynamic Duo 2.0組合通過搭載全新的硬件計算平台實現了更快速仿真和原型驗證速度。Palladium中使用的是Cadence自己設計的新一代計算處理芯片,此芯片專門針對硬件仿真debug進行了設計,針對debug的多種不同信號設置了更多的觸發設計,當前的所有商用芯片都不具備這樣的特點,因此該定製芯片具備行業其他競爭對手所沒有的高效硬件仿真表現,也是Palladium Z2可以成為業界領先的關鍵所在。10億門數據在10個小時內就可以完成編譯,而如果設計者使用了Cadence創新的模塊化編譯功能的話,通過並行的方式還可以讓這個編譯的速度更快。 Protium X2中採用的是Xilinx的VU-19P,相比前代的UltraScale440在單顆容量和效能上都有提升,並且在接口上也實現了與Palladium Z2更好的兼容性。Cadence在這一平台上的創新價值點在於將FPGA的使用進行了簡化,據張永專分享,Protium X2的Compile是使用Palladium相同方式來實現的,採用了同樣的時鐘樹方法。所以在FPGA上的接線繞線問題對於沒有FPGA經驗的工程師而言也不再是一個問題——在Palladium Z2上Compile之後直接就可以在Protium X2上完成這個芯片了,完全不需要用户的介入再去進行手動佈線繞線。其實這也是Cadence一直很強調的一個理念,在其全流程的驗證解決方案大平台上,不同的任務用更適合的Computing Processor來做,但整體的流程在用户角度而言是“平趟”的體驗。Paul McLellan在之前的Breakfast Buffet博客中將這種做法稱為“Computational Logistics” (計算軟件物流式體驗)。 ### Dynamic Duo 2.0已經獲得了來自NVIDIA、AMD和Arm的高度讚賞,他們在實踐中均獲得了大幅的硅前效率提升。張永專表示當前中國本土的很多芯片菜鳥集運自提點也對Dynamic Duo 2.0非常感興趣,Cadence也會持續進行中國業務的開拓,助力中國半導體產業發展。 本文部分參考鏈接: Computational Logistics - Breakfast Bytes - Cadence Blogs - Cadence Community //community.cadence.com/cadence_blogs_8/b/breakfast-bytes/posts/complog

    時間:2021-06-30 關鍵詞: cadence 原型驗證 EDA 硬件仿真

  • 三星巔峯之作曝光:首發2億像素

    隨着手機的不斷髮展,拍照早就成為手機最重要的發展方向之一,手機菜鳥集運自提點們不僅在算法上進行深耕,還在硬件上瘋狂堆料,從之前的幾百萬像素,到如今的一億像素,在像素方面甚至已經超過了主流的單反設備了。 隨着年初新品發佈會的結束,各大菜鳥集運自提點也將開始打磨年度壓軸旗艦機型。而作為國際頂級大廠的三星一直都是廣大媒體關注的重點對象。而最新關於三星旗艦機皇Galaxy S22爆料可謂相當驚喜,該款機型有望成為最強“旗艦”機皇。 三星每年會在一月份左右推出旗艦產品Galaxy S系列手機,並且會在國際上首發高通驍龍新一代旗艦處理器,因此也備受全球用户關注。 本以為此次推出2億像素的菜鳥集運自提點是此前首發1億像素的小米,但令人驚訝的是,這次首發2億像素居然是三星,而此次三星的2億像素方案也將有望在三星的旗艦S22系列搭載。 隨着手機的不斷髮展,拍照早就成為手機最重要的發展方向之一,手機菜鳥集運自提點們不僅在算法上進行深耕,還在硬件上瘋狂堆料,從之前的幾百萬像素,到如今的一億像素,在像素方面甚至已經超過了主流的單反設備了。本以為此次推出2億像素的菜鳥集運自提點是此前首發1億像素的小米,但令人驚訝的是,這次首發2億像素居然是三星,而此次三星的2億像素方案也將有望在三星的旗艦S22系列搭載。 至於核心配置方面,根據以往慣例,三星一般會搭載兩種芯片,一種自家旗艦芯片,另一種是高通平台的同等級芯片。而作為下一代的旗艦,自然不會在性能上有所苛刻,不出意外的話,此次的S22系列就將採用尚未發佈的高通驍龍895,以及同樣基於4nm工藝的三星Exynos 2200。從之前的產品來看,國內應該還是高通處理器的版本。 據海外媒體報道,三星下一代旗艦手機Galaxy S22系列也依然會在1月份左右發佈,並且會在國際首發驍龍895芯片(暫定名)。 同時,三星S22 Ultra將首發搭載全球首款2億像素主攝,並且該機主攝下方還印有“OLYMPUS CAMERA”字樣,不難看出,該機的影像系統將由奧林巴斯與三星聯合打造。此外,三星Galaxy S22 Ultra主攝可能將兼任超廣角等鏡頭的功能,是一顆多功能主攝。 圈哥點評:雖然不知道具體體驗如何?但是三星Galaxy S22 Ultra的2億像素主攝的確給人帶來了巨大的震撼。 OEM菜鳥集運自提點殺後台進程過於激進,谷歌正在調查 儘管谷歌方面為OEM制定了相關規則,使其在後台殺死的應用程序方面透明化。但是仍有OEM製造商在安卓系統的基礎上實施自己的殺後台政策。有用户表示,OEM菜鳥集運自提點製造的手機殺後台進程非常激進,影響到了日常使用,這一消息引起了谷歌的重視。對此,谷歌員工迴應,他們將研究這個問題,並邀請應用程序開發人員提交他們的反饋。 儘管三星在國內的市場份額已經大不如前,但在做手機產品的動力上,三星似乎並止步不前,在全球的銷量,三星依舊是第一。正面來看,三星Note 22 Ultra沒有做任何的打孔,也沒有劉海,四周邊框近乎等寬,該機的正面顏值可謂相當驚豔,外媒表示這是因為該機將會使用屏下鏡頭,達到目視化近乎100%的真全面屏效果,視覺衝擊力非常出色。在正面設計上,三星可謂是提前拿出大招,這個設計也將成為未來手機的發展趨勢。 真正讓人期待的是三星S22的拍照系統。在之前曝光的頂配機型Galaxy S22 Ultra的渲染圖中,顯示該機整體設計延續了當前S21的設計,但相機模組的主攝傳感器看起來十分龐大,而且攝像模組中顯示的“200MP”意味着這將是全球首款2億像素主攝,相比現在三星自己的一億主攝,顯然會擁有更好的畫質以及更出色的解析力和感光能力。 另外一個細節是,在攝像頭模組中,赫然印有“OLYMPUS CAMERA”的字樣,這表示在S22上,三星會有奧林巴斯合作。當然這只是渲染圖,我們不知道這個傳聞是不是真的,而且三星自己也有自己的相機部門,雖然聲名不顯,但是不是有必要和奧林巴斯合作也是兩説,這個只能等三星自己公佈答案了。 總之,這是非常典型的一款高顏值三星Note22Ultra概念機,真全面屏設計非常耐看,在屏幕、影像系統、續航等方面都將有巨大突破。可以説是達到了三星Note系列的巔峯,售價大概率不會便宜,預計不低於9000元起售。你對這款概念機怎麼看呢?喜歡嗎?

    時間:2021-06-24 關鍵詞: 三星 芯片 2億像素

  • 車載用、工作温度125°C、帶電流監視功能、36 V輸入、300 mA的高側開關 S-19682B系列

    本IC是採用CMOS工藝技術開發的備有電流監視功能的高側開關。 P溝道輸出晶體管為開時,可向連接在VOUT端子上的負載供應電壓。電流監視器通過檢測流經高側端開關的電流,輸出應對負載電流的電壓。並限制流入高側開關的電流,使其不超過設定值。 另外,本IC為了控制P溝道輸出晶體管的開、關,內置了ON / OFF控制電路;為了限制發熱,內置了熱敏關閉電路。 FIT值計算服務 本公司可提供根據用户的使用條件而計算的FIT值,以支援用户設計應對功能安全標準的產品。 有關FIT值計算的實施詳情,請向代理商諮詢。 注意 本產品可使用於車輛器械、車載器械。考慮使用於車輛器械、車載器械時,請務必與代理商聯繫。 特點 *1. 需要滯後類型的產品時,請向代理商諮詢。 *2. 詳情請與代理商聯繫。 用途 •GPS天線等的遠程LNA幻象電源 •ADAS定位器 •e-call •汽車導航器系列 •汽車音響系列

    時間:2021-06-22 關鍵詞: CMOS工藝 電流監視功能

  • 內置嵌套向量中斷控制器,這款IC產品,愛了

    在這篇文章中,小編將為大家帶來恩智浦NHS3100 IC的相關報道。如果你對本文即將要講解的內容存在一定興趣,不妨繼續往下閲讀哦。 NXP 半導體NHS3100 是 NTAG SmartSensor 產品系列的成員。 該 IC 針對温度監控和記錄進行了優化。 它具有嵌入式 NFC 接口、內部温度傳感器和直接電池連接。 這些功能支持有效的系統解決方案,其外部組件數量最少,並採用單層箔實現温度監控。 NHS3100 採用電池供電或 NFC 供電。 嵌入式 Arm Cortex-M0+ 為該 IC 的用户提供了實施他們自己的專用解決方案的靈活性。 NHS3100 包含多種功能,包括多種省電模式和可選的 8 MHz 和更低的 CPU 頻率,以實現超低功耗。 用户可以使用適用於 Arm Cortex-M0+ 處理器的行業標準解決方案對該 NHS3100 進行編程。 在時鐘生成方面,NHS3100 時鐘發生器單元 (CGU) 包括兩個獨立的 RC 振盪器。 這些振盪器是系統自激振盪器 (SFRO) 和定時器自激振盪器 (TFRO)。SFRO 以 8 MHz 運行,系統時鐘源自該頻率。 系統時鐘可設置為 8 MHz、4 MHz、2 MHz、1 MHz、500 kHz、250 kHz、125 kHz 或 62.5 kHz。注意:使用較低時鐘速度時,某些功能不可用。TFRO 運行於 32.768 kHz,是定時器單元的時鐘源。 TFRO 不能被禁用。復位後,NHS3100 開始以默認的 500 kHz 系統時鐘頻率運行,以最大限度地減少引導週期中的動態電流消耗。SYSAHBCLKCTRL 寄存器將系統時鐘門控到各種外設和存儲器。 温度傳感器接收固定時鐘頻率,與系統時鐘分頻器設置無關,而數字部分使用系統時鐘(AHB 時鐘 0) 在系統電源架構方面,NHS3100 接受來自兩個不同來源的電源:來自外部電源引腳 VDDBAT 或來自內置 NFC/RFID 整流器。 NHS3100 有一個小型自動源選擇器,用於監控電源輸入以及引腳 RESETN。 PSWBAT 開關保持打開狀態,直到在引腳 RESETN 上或通過 NFC 場發出觸發信號。 如果觸發,則始終開啓域 VDD_ALON 本身通過 PSWBAT 或 PSWNFC 開關供電:通過 VBAT,如果 VBAT > 1.72 V,或 VNFC。 當 VBAT 和 VNFC 都存在時,優先給 VBAT。PMU 中的自動電源選擇器單元根據電源決定內部域的欠缺。 僅使用 NFC 電源(無源操作)時,將一個或多個 100 nF 外部電容器並聯連接到 GPIO 焊盤並將該焊盤設置為驅動至邏輯 1 的輸出。首選選擇高驅動引腳。 幾個引腳可以並聯。 PSWNFC 和 PSWBAT 是電源開關。 當存在 RF 場時,PSWNFC 將電源連接到 VDD_ALON 電源網絡。 當在 RESETN 上檢測到正沿時,PSWBAT 連接電池供電。 如果沒有可用的射頻功率,PMU 可以打開這個 PSWBAT 開關,從而有效地關閉設備。 將 VDDBAT 連接到電源後,PSWBAT 開關打開,直到在 RESETN 或 RF 電源上檢測到上升沿為止。 NHS3100 的每個組件都位於多個內部電源域之一中。 這些域是 VBAT、VNFC、VDD_ALON、VDD1V2 和 VDD1V6。 根據 NHS3100 的模式,域 VDD_ALON、VDD1V2 和 VDD1V6 要麼通電,要麼不通電。VDD_ALON 域包含掉電檢測 (BOD)。 啓用此功能後,如果 VDD_ALON 電壓低於 1.8 V,它會引發 BOD 中斷。 PMU 控制活動、睡眠、深度睡眠和深度掉電模式以及流向不同內部組件的電源。PMU 有兩個 LDO,為內部 VDD1V2 和 VDD1V6 電壓域供電。 LDO1V2 可將 1.72 V 至 3.6 V 至 1.22 V 範圍內的電壓轉換為 1.72 V 至 3.6 V 至 1.6 V 範圍內的電壓。每個 LDO 可單獨啓用。 當通過 VNFC 供電時,LDO 的輸入端包含一個 1.2 nF 緩衝電容器。 當 PSWBAT 開關閉合或 NFC 電源可用時使用電池供電,為常開部件提供上電覆位 (POR) 信號。 啓動 TFRO 以啓動 PMU 中的狀態機。 在第一種狀態下,啓動為數字域供電的 LDO1V2。 在第二種狀態下,LDO1V6 開始為模擬域供電,從而啓動閃存。 啓用 LDO1V2 和 SFRO 穩定會觸發 system_por。 該系統現在被視為“開啓”。 當閃存完全運行時,系統可以啓動。 以上就是小編這次想要和大家分享的有關恩智浦NHS3100 IC的內容,希望大家對本次分享的內容已經具有一定的瞭解。如果您想要看不同類別的文章,可以在網頁頂部選擇相應的頻道哦。

    時間:2021-06-22 關鍵詞: NFC 恩智浦 IC

  • 智能照明:這款智能照明管理器讓你愛不釋手

    在下述的內容中,小編將會對艾邁斯半導體的AS7211 智能照明管理器相關消息予以報道,如果智能照明是您想要了解的焦點之一,不妨和小編共同閲讀這篇文章哦。 智能照明是指利用物聯網技術、有線/無線通訊技術、電力載波通訊技術、嵌入式計算機智能化信息處理,以及節能控制等技術組成的分佈式照明控制系統,來實現對照明設備的智能化控制。而AS7211 正是這樣一款產品。 AS7211 智能照明管理器設備是一種基於光視覺傳感器的智能光管理器,可為下一代照明系統實現自動日光水平調整和節能。它是艾邁斯半導體 Cognitive Lighting™ 系列產品的一部分,使燈光能夠“感知”並適應周圍環境,並自主滿足人類和節能照明需求。 AS7211 配備先進的認知光引擎 (CLE) 以優化日光收集並控制調光鎮流器或 LED 驅動器。環境光感測是通過集成納米光學沉積干涉濾光片實現的,該濾光片可隨時間和温度保持高穩定性。 LGA 封裝包括一個內置光圈,用於控制進入傳感器陣列的光線。認知光引擎 (CLE) 是智能照明管理器的“大腦”。 CLE 在控制輸出的同時不斷處理來自明視覺傳感器、網絡和輸入的信息。 初始設置和正在進行的參數存儲是通過 SPI 總線讀寫外部串行閃存來完成的。 用於採光的燈具解決方案只需要 AS7211。 具有采光和流明維持功能的燈具解決方案需要添加一個 ams TSL4531 單芯片環境光傳感器,通過 I²C 連接。 與本地傳感器網絡 (LSN) 的直接連接可實現與外部佔用傳感器、調光器或橋接器的集成。 AS7211 連接到標準的 0-10V 調光器輸入並驅動用於熒光燈的 0-10V 調光鎮流器/驅動器或用於 LED 照明的 LED 驅動器。提供了一個 UART 接口,用於 CLE 的遠程配置、控制和管理。該 UART 接口響應簡單的智能照明命令。 在絕對最大額定值方面,超出絕對最大額定值列出的應力可能會對設備造成永久性損壞。 這些只是壓力評級。 不暗示器件在這些或任何其他條件下超出電氣特性下指示的條件下的功能操作。 長時間暴露在絕對最大額定條件下可能會影響設備的可靠性。 該設備不是為高能量 UV(紫外線)環境設計的,包括向上看的户外應用,這可能會影響長期的光學性能。 Photopic傳感器是 AS7211 CLE 的一部分,是接近人眼響應的下一代數字光傳感器設備。 該傳感器包含一個集成模數轉換器(16 位分辨率 ADC),可對來自光電二極管的電流進行積分。 轉換週期完成後,將結果傳送到相應的數據寄存器。 傳輸是雙緩衝的,以確保維護數據的完整性。 明視響應是通過硅干涉濾光片實現的,該濾光片在時間和温度範圍內非常穩定。 為確保精度,AS7211 LGA 封裝包含一個內部孔徑,可將傳感器視場 (PFOV) 限制為 ± 20.5°。 可以根據需要使用外部光學器件來擴展或減少這種內置 PFOV。 在輸入方面,對於 AS7211,調光可以通過輸入引腳 (0_10V_DIM) 或通過 UART 接口使用 AS7211 智能照明命令設置的網絡命令調光來完成。 硬件控制輸入的典型示例是標準的 0-10V 調光器。 0-10V DIM 模擬輸入信號由帶有內部分壓器的 AS7211 縮小並轉換為 10 位數字值,0V=全調光,10V=不調光。使用內部分壓器時,VDDHV 引腳上的電壓必須高於 10V。 如果沒有第二個電源,則 VDDHV 和 VDD 連接在一起,並且必須使用外部電阻分壓器來完成縮減。縮小輸入的最大範圍限制為 2V。因此,要接受全範圍 10V 信號,輸入電阻分壓器的比率必須為 5:1。根據引腳 VDDHV 的電平,智能照明管理器自動選擇內部或外部分壓器。如果不使用 0_10V_DIM 引腳,建議使用外部電阻上拉將其連接到 VDDHV。 以上所有內容便是小編此次為大家帶來的有關艾邁斯半導體的AS7211 智能照明管理器的所有介紹,如果你想了解更多有關它的內容,不妨在我們網站、艾邁斯半導體官網或者百度、google進行探索哦。

    時間:2021-06-22 關鍵詞: 智能照明 管理器 CLE

  • 高精度+低功耗+強泛化能力:這款模數轉換器,棒!

    在下述的內容中,小編將會對ADI的AD4695 模數轉換器的相關消息予以報道,如果模數轉換器是您想要了解的焦點之一,不妨和小編共同閲讀這篇文章哦。 AD4695 是緊湊型、高精度、低功耗、16 通道、16 位、500kSPS/1 MSPS、多路複用輸入精密逐次逼近寄存器 (SAR) 模數轉換器 (ADC),具有輕鬆驅動功能和廣泛的數字化功能。 AD4695 最適合用於空間受限的多通道精密數據採集系統和監控電路。AD4695 具有真正的 16 位 SAR ADC 無失碼內核、16 通道低串擾多路複用器、靈活的通道時序控制器、每個模擬輸入上的過壓保護鉗位電路、片內過採樣和抽取、閾值檢測和警報指示器,以及自主轉換(自動循環)模式。 AD4695 輕鬆驅動功能可放寬對模擬前端 (AFE) 和基準電壓源電路的驅動要求。模擬輸入高阻抗模式和基準電壓源高阻抗模式消除了專用高速 ADC 驅動器和基準電壓源緩衝區的需求,簡化了系統設計,減少了組件數量,並增加了通道密度。 每個模擬輸入上的輸入過壓保護鉗位可防止 AD4695 發生過壓事件,並防止一個通道上的過壓事件導致其他通道性能降低。 AD4695 具有先進的數字功能,可與各種低功耗數字主機兼容。低串行外圍接口 (SPI) 時鐘頻率要求,片內可定製的通道時序控制器,以及過採樣和抽取,降低了數字主機系統的負擔。自動循環模式和閾值檢測功能可自動執行轉換,並根據具體通道的閾值限制生成警報,從而實現低功耗、中斷驅動的固件設計。 AD4695 採用 5 mm × 5 mm 32 引腳 LFCSP 包裝,可在 −40°C 至 +125°C 的温度範圍內工作。 AD4695 包含一個基於 SAR 的 ADC 內核,該內核利用電荷再分配數模轉換器 (DAC) 將施加的輸入電壓量化為輸出代碼。 模擬輸入和温度傳感器通過內部低串擾多路複用器連接到電容器陣列輸入(ADCIN+ 和 ADCIN−)。 多路複用器開關由內部通道排序邏輯控制,每次轉換更新一次。 AD4695 SAR ADC 轉換程序由採集階段和轉換階段組成。 ADC 保持在採集階段,直到轉換階段開始。 在採集階段,電容器陣列採集內部多路複用器選擇的模擬輸入通道上的電壓。 在轉換階段,ADC 內核對輸入電壓進行採樣並生成相應的輸出代碼結果。 AD4695 必須處於轉換模式才能啓動轉換階段。 在寄存器配置模式下,SAR ADC 內核保持在採集階段。 在採集階段,連接到比較器輸入端的電容器陣列端子通過 SW+ 和 SW− 開關連接到 REFGND。 陣列中各個電容器上的所有開關都連接到 ADCIN+ 和 ADCIN−,ADCIN+ 和 ADCIN− 通過 SWMUX+ 和 SWMUX− 連接到選定的模擬輸入通道。 採集階段在轉換階段開始時立即結束。 轉換階段由 CNV 輸入的上升沿啓動(僅在轉換模式下)。當轉換階段開始時,SW+、SW−、SWMUX+ 和 SWMUX− 首先打開並對電容器陣列上的模擬輸入電壓進行採樣。然後將兩個電容器陣列從 ADCIN+ 和 ADCIN− 斷開並連接到 REFGND。採樣電壓被施加到比較器輸入端,這會導致比較器變得不平衡。 ADC 控制邏輯對陣列中的每個電容器執行位試驗,從 MSB 開始,依次在 REFGND 和 REF 之間切換電容器陣列的每個元件。在每個位試驗期間,比較器輸入會隨着二進制加權電壓階躍(VREF/2、VREF/4、……、VREF/65536)而變化,並且控制邏輯會起作用以使比較器恢復到平衡狀態。比較器的狀態被記錄為每個位試驗以產生最終的轉換結果。當所有位試驗完成且轉換結果準備就緒時,轉換階段終止。 SAR ADC 內核為每個轉換階段生成一個輸出代碼。 當活動通道配置的 OSR 設置大於 1 時,多個輸出代碼一起平均以生成過採樣 ADC 結果。 最後,希望大家對ADI的AD4695 模數轉換器已經具備一定的瞭解,如果你還想了解更多有關AD4695的技術詳情,可以去ADI官網查看技術資料哦。你們的每一次閲讀,對小編來説都是莫大的鼓勵和鼓舞。最後的最後,祝大家有個精彩的一天。

    時間:2021-06-22 關鍵詞: 模數轉換器 DAC ADC

  • 為之痴迷,這款轉換收發器,真的絕了!!!

    以下內容中,小編將對TI德州儀器的SN74LXCH8T245 轉換收發器的相關內容進行着重介紹和闡述,希望本文能幫您增進對這款收發器的瞭解,和小編一起來看看吧。 SN74LXCH8T245 是一款 8 位轉換收發器,它使用兩個可單獨配置的電源軌。該器件在 VCCA 和 VCCB 電源下運行,低至 1.1 V 和高達 5.5 V。此外,該器件在 VCCA = VCCB 下運行。 A 端口設計用於跟蹤 VCCA,B 端口設計用於跟蹤 VCCB。 SN74LXCH8T245 器件專為數據總線之間的異步通信而設計,並根據方向控制輸入 (DIR) 的邏輯電平將數據從 A 總線傳輸到 B 總線或從 B 總線傳輸到 A 總線。輸出使能輸入 (OE) 用於禁用輸出,以便有效隔離總線。 SN74LXCH8T245 的控制引腳(DIR 和 OE)以 VCCA 為參考。 OE 引腳應通過一個上拉電阻連接到 VCCA,以確保上電或斷電期間電平轉換器 I/O 的高阻抗狀態。 該器件完全適用於使用 Ioff 電流的部分斷電應用。 Ioff 保護電路可確保在器件斷電時不會從輸入、輸出或 I/O 汲取或流入過多電流。 VCC 隔離和 VCC 斷開功能可確保如果 VCC 小於 100 mV 或在推薦的工作條件下與互補電源浮動,則通過禁用其輸出和電源電流將兩個 I/O 端口設置為高阻抗狀態被維護。 無毛刺電源排序允許電源軌以任何順序打開或關閉,同時提供強大的電源排序性能。 SN74LXCH8T245 具有集成下拉功能的 CMOS 施密特觸發器輸入,標準 CMOS 輸入具有高阻抗,通常建模為與電氣特性中給出的輸入電容並聯的電阻器。 最壞情況下的電阻是根據絕對最大額定值中給出的最大輸入電壓和電氣特性中給出的最大輸入漏電流計算得出的,使用歐姆定律。 施密特觸發器輸入架構提供了由電氣特性中的 ΔVT 定義的遲滯,這使得該器件對緩慢或嘈雜的輸入具有極高的耐受性。 緩慢驅動輸入會增加設備的動態電流消耗。 與數據 I/O 類似,浮動控制輸入會導致高電流消耗。 該器件在控制輸入(DIR 和 OE)上集成了 5-MΩ 的典型弱靜態下拉,以幫助避免這種問題。 這些下拉總是存在的。 例如,如果 DIR 引腳懸空,則 B 端口將配置為輸入,A 端口將配置為輸出。 在平衡高驅動 CMOS 推輓輸出方面,平衡輸出允許設備吸收和提供類似的電流。 該器件的高驅動能力為輕負載創造了快速邊沿,因此應考慮佈線和負載條件以防止振鈴。 此外,該器件的輸出能夠驅動比器件能夠承受的更大的電流而不會損壞。 必須始終遵守絕對最大額定值中定義的電氣和熱限制。 當器件斷電時,該器件的輸入和輸出進入高阻抗狀態,阻止電流回流到器件中。 電氣特性中的 Ioff 指定流入或流出設備上任何輸入或輸出引腳的最大泄漏。 在VCC 隔離和 VCC 斷開方面,當任一電源 <100 mV 時,該器件的輸入和輸出進入高阻抗狀態,需要一個電源連接到器件。 注意:即使設備被禁用並且所有輸出都處於高阻抗狀態,總線保持電路也始終保持活動狀態。 可以斷開其中一個電源(浮動),而另一個電源仍然連接,並且器件將保持電氣特性中 ICCx(浮動)指定的最大電源電流。 I/O 不會進入高阻抗狀態,除非在驅動電壓低於 100 mV 後斷開電源。 電氣特性中的 Ioff(float) 指定流入或流出設備上任何輸入或輸出引腳的最大泄漏。 任一電源軌都可以以任何順序打開或關閉電源,而不會在 I/O 上產生毛刺(即,輸出在應保持低電平時錯誤地轉換為 VCC,反之亦然)。 這種性質的毛刺可能被外設誤解為有效的數據位,這可能會觸發外設的錯誤設備復位、外設的錯誤設備配置,甚至是外設的錯誤數據初始化。 以上就是小編這次想要和大家分享的有關TI德州儀器的SN74LXCH8T245 轉換收發器的內容,希望大家對本次分享的內容已經具有一定的瞭解。如果您想要看不同類別的文章,可以在網頁頂部選擇相應的頻道哦。

    時間:2021-06-22 關鍵詞: 收發器 VCCA SN74LXCH8T245

  • 想要一款優秀的開關穩壓器?這就是絕佳選擇!!

    一直以來,開關穩壓器都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在,小編將為大家帶來MPS MPQ2420A開關穩壓器的相關介紹,詳細內容請看下文。 一、MPQ2420A 開關穩壓器概述 MPQ2420A 是一款集成了高端和低端高壓功率 MOSFET 的降壓開關調節器。它可以提供高達 0.3A 的高效輸出。集成監控器增加了系統的額外安全冗餘功能。 4.5V 至 75V 的寬輸入範圍使其適合汽車環境中的各種降壓應用。全温下 5μA 的關斷模式靜態電流非常適合電池供電應用。在輕載條件下,可通過降低開關頻率在寬負載範圍內實現高轉換效率,以減少開關和柵極驅動器損耗。也可以降低啓動開關頻率和短路電流以防止電感電流跑飛。全方位保護功能包括欠壓鎖定保護(UVLO)和過温關斷保護。過温關斷保護確保了工作的穩定性和可靠性。 MPQ2420A 採用 TSSOP-16 EP 封裝。 二、MPQ2420A 開關穩壓器詳述 MPQ2420A 是一款 75V、0.3A、同步、降壓開關穩壓器,具有集成的高側和低側高壓功率 MOSFET(分別為 HS-FET 和 LS-FET)。 它提供高效的 0.3A 輸出,並具有寬輸入電壓範圍、外部軟啓動控制和精確的電流限制。 它具有非常低的工作靜態電流,使其適用於電池供電的應用。 (一)控制方案 ILIM 比較器、FB 比較器和零電流檢測器 (ZCD) 塊控制 PWM。 如果 VFB 低於 1V 參考電壓且電感器電流降至零,則 HSFET 導通,ILIM 比較器開始檢測 HS-FET 電流。 當 HS-FET 電流達到其極限時,HS-FET 關閉,LS-FET 和 ZCD 模塊開啓。 ILIM 比較器關閉以降低靜態電流。 LS-FET 和 ZCD 模塊在電感電流降至零後關閉。 如果 VFB 低於 1V 參考電壓,HS-FET 將打開並開始另一個週期。 如果 VFB 保持高於 1V 參考電壓,HS-FET 將保持關閉,直到 VFB 降至 1V 以下。 (二)內部調節器和 BIAS 2.6V 內部穩壓器為大部分內部電路供電。 該穩壓器採用 VIN 並在整個 VIN 範圍內運行。 當 VIN 大於 3.0V 時,穩壓器的輸出處於全穩壓狀態。 較低的 VIN 值會導致較低的輸出電壓。 當 VBIAS > 2.9V 時,BIAS 電源會覆蓋輸入電壓併為內部穩壓器供電。 當 VBIAS > 4.5V 時,BIAS 為 LS-FET 驅動器供電。 使用 BIAS 為內部穩壓器供電可提高效率。 當穩壓輸出電壓在 2.9V 至 5.5V 範圍內時,建議將 BIAS 連接到穩壓輸出電壓。 當輸出電壓超出此範圍時,BIAS 可以使用 >2.9V 至 >4.5V 的外部電源供電。 (三)啓用控制 (EN) MPQ2420A 具有專用的使能控制 (EN)。 當 VIN 變高時,EN 啓用和禁用芯片(高邏輯)。 其下降閾值一致為1.2V,上升閾值高出約350mV。 懸空時,EN 被內部 0.8mμA 電流源上拉至 4.0V 左右,使能。 要將其下拉,需要 0.8mμA 的電流能力。 當 EN = 0V 時,芯片進入最低關斷電流模式。 當EN高於零但低於其上升閾值時,芯片保持關斷模式,關斷電流稍大。 (四)軟啓動 (SS) MPQ2420A 採用軟啓動 (SS) 機制來防止轉換器輸出電壓在啓動期間出現過沖。 當芯片啓動時,內部電路會產生一個恆定電流來為外部軟啓動電容充電。 SS 電壓以 SS 時間設定的慢速從 0V 緩慢上升。 當 VSS 小於 VREF 時,VSS 會覆蓋 VREF,並且 FB 比較器使用 VSS 而不是 VREF 作為參考。 當 VSS 高於 VREF 時,VREF 恢復控制。 (五)熱關斷 熱關斷可防止芯片在極高温度下運行。 當硅芯片達到超過其上限閾值的温度時,整個芯片將關閉。 當温度低於其下限閾值時,芯片再次啓用。 (六)啓動和關閉 如果 VIN 和 VEN 都高於相應的閾值,則芯片啓動。 參考模塊首先啓動,產生穩定的參考電壓和電流,然後啓用內部穩壓器。 穩壓器為其餘電路提供穩定的電源。 如果內部電源軌為高電平,則內部定時器會使功率 MOSFET 保持關閉約 50µs,以清除任何啓動毛刺。 當軟啓動模塊啓用時,SS 輸出保持低電平並緩慢上升。 三個事件可以關閉芯片:VEN 低電平、VIN 低電平和熱關斷。 在關閉過程中,首先阻塞信令路徑以避免任何故障觸發。 然後內部電源軌被拉低。 浮動驅動器不受此關閉命令的影響,但其充電路徑被禁用。 上述所有信息便是小編這次為大家推薦的內容,希望大家能夠喜歡,想了解更多有關它的信息或者其它內容,請關注我們網站哦。

    時間:2021-06-22 關鍵詞: 穩壓器 MOSFET 開關穩壓器

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